Chapter 17

용어집 & 종합 퀴즈

메모리 반도체는 약어의 숲이다. AMAT, SNM, BCAT, tRCD, tFAW, ODT, TSV, MR-MUF, ISPP, CuA, WAF, PRAC, LDPC, MTJ, CXL… 이 장은 책 전체에 흩어진 핵심 용어를 한곳에 모은 사전이자, 전 범위를 점검하는 마무리 시험이다.

한국어·영어·약어 어느 쪽으로든 용어를 찾아 정의와 해당 챕터로 바로 이동할 수 있다.
메모리 계층과 소자 물리에서 SRAM·DRAM·NAND, 시스템 설계, 공정·테스트·산업까지 각 장의 핵심 개념을 스스로 점검한다.
틀린 문제의 챕터를 확인하고 약한 부분을 다시 공부할 계획을 세운다.

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용어집

검색창에 한국어(예: 전하 공유), 영어(예: refresh), 약어(예: WAF) 중 아무것이나 입력하면 바로 걸러진다. 정의 본문도 검색 대상이다. 챕터 칩으로 범위를 좁히고, 가나다순 또는 챕터순으로 묶어 볼 수 있다.

챕터

정렬

종합 퀴즈

전 챕터에서 고른 20문항이다. 한 문제씩 풀고 나면 해설과 관련 챕터 링크가 나온다. 끝까지 풀면 챕터별 정답률 그래프와 “등급”을 보여 준다. 다시 풀기를 누르면 문제와 보기 순서가 섞인다.

문제 1 / 20정답 0

마치며

모든 메모리는 비트를 무엇으로 붙잡느냐(래치·커패시터 전하·트랩 전하·자화·결정 상태·분극)로 나뉘고, 그 선택이 속도·밀도·휘발성·내구성을 결정한다.
메모리 계층은 지역성 위에 서 있다. 빠르고 작은 SRAM, 크고 싼 DRAM, 영구적인 NAND가 서로의 약점을 가려 주며 AMAT을 낮춘다.
DRAM의 속도와 전력은 셀 자체보다 타이밍 규칙(tRCD·CL·tRP·tFAW·리프레시)과 인터페이스(DDR·HBM)에서 결정되는 경우가 많다.
NAND와 SSD는 물리적으로 불완전한 셀을 FTL·ECC·웨어 레벨링이라는 소프트웨어와 알고리즘으로 감싸 신뢰할 수 있는 저장 장치로 만든다.
AI 시대의 병목은 연산이 아니라 데이터 이동이다. 루프라인으로 병목을 진단하고 HBM·CXL·PIM 중 무엇이 답인지 따져 보자. 틀린 문제가 있던 챕터로 돌아가 시뮬레이터를 다시 만져 보자.